Transistor bipolaire 2N706B
Caractéristiques électriques du transistor 2N706B
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 15 V
- Tension collecteur-base maximum: 25 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 0.05 A
- Dissipation de puissance maximum: 1 W
- Gain de courant (hfe): 20 à 60
- Fréquence de transition minimum: 200 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
- Boîtier: TO-18
Brochage du 2N706B
Version SMD du transistor 2N706B
Substituts et équivalents pour le transistor 2N706B
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