Transistor bipolaire 2N706B

Caractéristiques électriques du transistor 2N706B

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 15 V
  • Tension collecteur-base maximum: 25 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.05 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1 W
  • Gain de courant (hfe): 20 à 60
  • Fréquence de transition minimum: 200 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-18

Brochage du 2N706B

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Version SMD du transistor 2N706B

Le MMBT918 (SOT-23) est la version SMD du transistor 2N706B.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N706B

Vous pouvez remplacer le transistor 2N706B par 2N2220, 2N2369A, 2N706 ou 2N706A.
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