Transistor bipolaire 2N6559

Caractéristiques électriques du transistor 2N6559

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 350 V
  • Tension collecteur-base maximum: 350 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 180
  • Fréquence de transition minimum: 200 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-202

Brochage du 2N6559

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
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