Transistor bipolaire 2N6556

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
• Tension collecteur-base maximum: -100 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -1 A
• Dissipation de puissance maximum: 10 W
• Gain de courant (h_fe): 80 à 300
• Fréquence de transition minimum: 375 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-202

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du 2N6556 est le 2N6553.Le 2SA1368 (SOT-89) est la version SMD du transistor 2N6556.