Transistor bipolaire 2N6519
Caractéristiques électriques du transistor 2N6519
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -300 V
- Tension collecteur-base maximum: -300 V
- Tension émetteur-base maximum: -6 V
- Courant collecteur continu maximum: -0.5 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
- Gain de courant (hfe): 40 à 200
- Fréquence de transition minimum: 40 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
Brochage du 2N6519
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Complémentaire du transistor 2N6519
Version SMD du transistor 2N6519
Substituts et équivalents pour le transistor 2N6519
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