Transistor bipolaire 2N6519

Caractéristiques électriques du transistor 2N6519

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -300 V
  • Tension collecteur-base maximum: -300 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 40 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du 2N6519

Le 2N6519 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N6519

Le transistor NPN complémentaire du 2N6519 est le 2N6516.

Version SMD du transistor 2N6519

Le KST92 (SOT-23), MMBTA92 (SOT-23) et PZTA92 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2N6519.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N6519

Vous pouvez remplacer le transistor 2N6519 par 2N6520, KSP92, MPSA92, MPSW92 ou MPSW92G.
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