Transistor bipolaire 2N6432

Caractéristiques électriques du transistor 2N6432

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -200 V
  • Tension collecteur-base maximum: -200 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.5 W
  • Gain de courant (hfe): 30 à 150
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-18

Brochage du 2N6432

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N6432

Le transistor NPN complémentaire du 2N6432 est le 2N6430.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N6432

Vous pouvez remplacer le transistor 2N6432 par 2N6433.
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