Transistor bipolaire 2N6420
Caractéristiques électriques du transistor 2N6420
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -175 V
- Tension collecteur-base maximum: -200 V
- Tension émetteur-base maximum: -6 V
- Courant collecteur continu maximum: -1 A
- Dissipation de puissance maximum: 35 W
- Gain de courant (hfe): 40 à 200
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
- Boîtier: TO-66
Brochage du 2N6420
Complémentaire du transistor 2N6420
Version SMD du transistor 2N6420
Substituts et équivalents pour le transistor 2N6420
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