Transistor bipolaire 2N6383

Caractéristiques électriques du transistor 2N6383

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 40 V
  • Tension collecteur-base maximum: 40 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 100 W
  • Gain de courant (hfe): 1000 à 20000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du 2N6383

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N6383

Le transistor PNP complémentaire du 2N6383 est le 2N6648.

Version SMD du transistor 2N6383

Le 2STF1550 (SOT-89) et 2STN1550 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2N6383.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N6383

Vous pouvez remplacer le transistor 2N6383 par 2N6384, 2N6385, BD315, BDX65, BDX65A, BDX67, BDX67A, BDX69, BDX69A, KD501, KD502, KD503, MJ11012, MJ11012G, MJ3000, MJ3001, MJ4033, MJ4034, TIP600, TIP601, TIP640 ou TIP641.
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