Transistor bipolaire 2N6330

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
• Tension collecteur-base maximum: 80 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 30 A
• Dissipation de puissance maximum: 200 W
• Gain de courant (h_fe): 6 à 30
• Fréquence de transition minimum: 3 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Vous pouvez remplacer le transistor 2N6330 par 2N6327, 2N6328 ou 2N6331.