Transistor bipolaire 2N6312

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -40 V
• Tension collecteur-base maximum: -40 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -5 A
• Dissipation de puissance maximum: 75 W
• Gain de courant (h_fe): 25 à 100
• Fréquence de transition minimum: 4 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-66

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du 2N6312 est le 2N4231A.Vous pouvez remplacer le transistor 2N6312 par 2N6313, 2N6314, 2N6372, 2N6373 ou 2N6374.