Transistor bipolaire 2N6301

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
• Tension collecteur-base maximum: -80 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -8 A
• Dissipation de puissance maximum: 75 W
• Gain de courant (h_fe): 750 à 18000
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-66

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du 2N6301 est le 2N6299.