Transistor bipolaire 2N6032

Caractéristiques électriques du transistor 2N6032

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 90 V
  • Tension collecteur-base maximum: 120 V
  • Tension émetteur-base maximum: 7 V
  • Courant collecteur continu maximum: 50 A
  • Dissipation de puissance maximum: 140 W
  • Gain de courant (hfe): 10 à 40
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du 2N6032

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
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