Transistor bipolaire 2N5819

Caractéristiques électriques du transistor 2N5819

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -40 V
  • Tension collecteur-base maximum: -50 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.75 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 150 à 300
  • Fréquence de transition minimum: 135 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du 2N5819

Le 2N5819 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, le collecteur, la base et l'émetteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N5819

Le transistor NPN complémentaire du 2N5819 est le 2N5818.

Version SMD du transistor 2N5819

Le 2SA1366 (SOT-23), 2SA1366-E (SOT-23), 2SA1518 (SOT-23), 2SA1519 (SOT-23), 2SA1520 (SOT-23), 2SA1521 (SOT-23), 2SB710A (SOT-23), BC807 (SOT-23), BC807W (SOT-323), BCX17 (SOT-23), FMMT2907 (SOT-23), FMMT2907R (SOT-23), KN2907S (SOT-23), KTN2907S (SOT-23), KTN2907U (SOT-323), PMBT2907 (SOT-23) et PMST2907 (SOT-23) est la version SMD du transistor 2N5819.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N5819

Vous pouvez remplacer le transistor 2N5819 par BC327, BC486, BC488 ou BC490.
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