Transistor bipolaire 2N5816

Caractéristiques électriques du transistor 2N5816

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 40 V
  • Tension collecteur-base maximum: 50 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.75 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 120 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du 2N5816

Le 2N5816 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, le collecteur, la base et l'émetteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N5816

Le transistor PNP complémentaire du 2N5816 est le 2N5817.

Version SMD du transistor 2N5816

Le 2SC3325 (SOT-23), 2SC3441 (SOT-23), 2SC3441-D (SOT-23), 2SC3912 (SOT-23), 2SC3913 (SOT-23), 2SC3914 (SOT-23), 2SC3915 (SOT-23), 2SD602A (SOT-23), BC817 (SOT-23), BC817-16 (SOT-23), BC817-16W (SOT-323), BC817W (SOT-323), BCX19 (SOT-23), KST4401 (SOT-23), MMBT4401 (SOT-23), MMST4401 (SOT-323), PMBT4401 (SOT-23) et PMST4401 (SOT-323) est la version SMD du transistor 2N5816.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N5816

Vous pouvez remplacer le transistor 2N5816 par 2N5822, BC337, BC337-16, BC485, BC485A, BC487, BC487A, BC489 ou BC489A.
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