Transistor bipolaire 2N5815
Caractéristiques électriques du transistor 2N5815
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -40 V
- Tension collecteur-base maximum: -50 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -0.75 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
- Gain de courant (hfe): 60 à 120
- Fréquence de transition minimum: 100 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
Brochage du 2N5815
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Complémentaire du transistor 2N5815
Version SMD du transistor 2N5815
Substituts et équivalents pour le transistor 2N5815
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