Transistor bipolaire 2N5812

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
• Tension collecteur-base maximum: 35 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 0.75 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
• Gain de courant (h_fe): 150 à 500
• Fréquence de transition minimum: 135 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-92

Le 2N5812 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, le collecteur, la base et l'émetteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du 2N5812 est le 2N5813.Vous pouvez remplacer le transistor 2N5812 par BC337 ou BC338.