Transistor bipolaire 2N5810

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
• Tension collecteur-base maximum: 35 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 0.75 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
• Gain de courant (h_fe): 60 à 200
• Fréquence de transition minimum: 100 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-92

Le 2N5810 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, le collecteur, la base et l'émetteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du 2N5810 est le 2N5811.Vous pouvez remplacer le transistor 2N5810 par BC485.