Transistor bipolaire 2N5683G

Caractéristiques électriques du transistor 2N5683G

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -50 A
  • Dissipation de puissance maximum: 300 W
  • Gain de courant (hfe): 15 à 60
  • Fréquence de transition minimum: 2 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3
  • Le 2N5683G est la version sans plomb du transistor 2N5683

Brochage du 2N5683G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N5683G

Le transistor NPN complémentaire du 2N5683G est le 2N5685G.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N5683G

Vous pouvez remplacer le transistor 2N5683G par 2N5683, 2N5684, 2N5684G, MJ14001, MJ14001G, MJ14003 ou MJ14003G.
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