Transistor bipolaire 2N5430

Caractéristiques électriques du transistor 2N5430

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
  • Tension collecteur-base maximum: 100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 7 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 240
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-66

Brochage du 2N5430

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
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