Transistor bipolaire 2N5416

Caractéristiques électriques du transistor 2N5416

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -300 V
  • Tension collecteur-base maximum: -350 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1 W
  • Gain de courant (hfe): 30 à 120
  • Fréquence de transition minimum: 15 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-39

Brochage du 2N5416

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N5416

Vous pouvez remplacer le transistor 2N5416 par NTE397.
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