Transistor bipolaire 2N5367

Caractéristiques électriques du transistor 2N5367

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -40 V
  • Tension collecteur-base maximum: -40 V
  • Tension émetteur-base maximum: -4 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 250 à 500
  • Fréquence de transition minimum: 250 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du 2N5367

Le 2N5367 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N5367

Vous pouvez remplacer le transistor 2N5367 par 2SA1522, 2SA1523, 2SA1524, 2SA1525, 2SA1526, 2SA1527, 2SA1528, 2SA1529, 2SB1116, 2SB1229, 2SB560, 2SB892, 2SB985, KSB1116, KSB1116S ou NTE193A.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com