Transistor bipolaire 2N4123

Caractéristiques électriques du transistor 2N4123

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 30 V
  • Tension collecteur-base maximum: 40 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 50 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 250 MHz
  • Figure de bruit maximum: 6 dB
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92
  • Electrically Similar to the Popular MPS4123 transistor

Brochage du 2N4123

Le 2N4123 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Transistor 2N4123 en boîtier TO-92

Le MPS4123 est la version TO-92 du 2N4123.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N4123

Vous pouvez remplacer le transistor 2N4123 par 2SC1008, 2SC815, BC537, KSC1008, KSC815, KSP05, MPS6532, MPS6602 ou MPS6602G.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com