Transistor bipolaire 2N3499
Caractéristiques électriques du transistor 2N3499
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
- Tension collecteur-base maximum: 100 V
- Tension émetteur-base maximum: 6 V
- Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
- Dissipation de puissance maximum: 1 W
- Gain de courant (hfe): 100 à 300
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
- Boîtier: TO-39
Brochage du 2N3499
Version SMD du transistor 2N3499
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