Transistor bipolaire 2N1131

Caractéristiques électriques du transistor 2N1131

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -35 V
  • Tension collecteur-base maximum: -50 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.6 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.8 W
  • Gain de courant (hfe): 20 à 45
  • Fréquence de transition minimum: 50 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-39

Brochage du 2N1131

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
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