Transistor bipolaire 2DA1213O
Caractéristiques électriques du transistor 2DA1213O
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -50 V
- Tension collecteur-base maximum: -50 V
- Tension émetteur-base maximum: -6 V
- Courant collecteur continu maximum: -2 A
- Dissipation de puissance maximum: 1 W
- Gain de courant (hfe): 70 à 140
- Fréquence de transition minimum: 160 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: SOT-89
- Electrically Similar to the Popular 2SA1213-O transistor
Brochage du 2DA1213O
Classification de hFE
Substituts et équivalents pour le transistor 2DA1213O
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