Transistor bipolar SS8050D

Características del transistor SS8050D

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 25 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 40 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 1.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 1 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 160 a 300
  • Frecuencia máxima de trabajo: 100 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92

Diagrama de pines del SS8050D

El SS8050D se fabrica en una caja de plástico TO-92. Si se mira la parte plana con los cables apuntando hacia abajo, los tres cables que salen del transistor son, de izquierda a derecha, el emisor, la base y el colector.
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor SS8050D puede tener una ganancia de corriente de 160 a 300. La ganancia del SS8050 estará en el rango de 85 a 300, para el SS8050B estará en el rango de 85 a 160, para el SS8050C estará en el rango de 120 a 200.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del SS8050D es el SS8550D.

Versión SMD del transistor SS8050D

El FMMT449 (SOT-23), MPS8050S (SOT-23) y MPS8050S-D (SOT-23) es la versión SMD del transistor SS8050D.

Sustitución y equivalentes para el transistor SS8050D

Puede sustituir el SS8050D por el MPS650, MPS650G, MPS8050, MPS8050D o ZTX690B.
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