Transistor bipolar MJD50T4G

• Tipo: NPN
• Tensión Máxima Colector-Emisor: 400 V
• Tensión Máxima Colector-Base: 500 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: 1 A
• Disipación de Potencia Máxima: 15 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 30 a 150
• Frecuencia máxima de trabajo: 10 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
• Encapsulado: TO-252
• Electrically Similar to the Popular TIP50 transistor
• El MJD50T4G es la versión sin plomo del transistor MJD50T4

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor MJD50T4G está marcado como "J50G".Puede sustituir el MJD50T4G por el MJD50, MJD50G o MJD50T4.