Transistor bipolar MJD2955-1G

Características del transistor MJD2955-1G

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -70 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -10 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 20 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 20 a 100
  • Frecuencia máxima de trabajo: 2 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-251
  • Electrically Similar to the Popular MJE2955T transistor
  • El MJD2955-1G es la versión sin plomo del transistor MJD2955-1

Diagrama de pines del MJD2955-1G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Marcado

El transistor MJD2955-1G está marcado como "J2955G".

Sustitución y equivalentes para el transistor MJD2955-1G

Puede sustituir el MJD2955-1G por el MJD2955-1.
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