Transistor bipolar MG6330-R

Características del transistor MG6330-R

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 260 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 260 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 15 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 200 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 70 a 140
  • Frecuencia máxima de trabajo: 60 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3P

Diagrama de pines del MG6330-R

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del MG6330-R es el MG9410-R.

Sustitución y equivalentes para el transistor MG6330-R

Puede sustituir el MG6330-R por el 2SC3320, 2SC6145A, 2SC6145A-Y, 2SD1313 o MG6331-R.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com