Transistor bipolar KTD998

Características del transistor KTD998

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 120 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 120 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 10 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 80 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 55 a 160
  • Frecuencia máxima de trabajo: 10 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3P
  • Electrically Similar to the Popular 2SD998 transistor

Diagrama de pines del KTD998

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor KTD998 puede tener una ganancia de corriente de 55 a 160. La ganancia del KTD998-O estará en el rango de 80 a 160, para el KTD998-R estará en el rango de 55 a 110.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del KTD998 es el KTB778.

Sustitución y equivalentes para el transistor KTD998

Puede sustituir el KTD998 por el 2SC2581, 2SC2706, 2SC2837, 2SC3182, 2SC3182-O, 2SC3280, 2SC3281, 2SC3284, 2SC3519, 2SC3519A, 2SC3519A-O, 2SC3519A-P, 2SC3519A-Y, 2SC3855, 2SC3907, 2SC4468, 2SC5198, 2SC5199, 2SC5200, 2SC5200N, 2SC5358, 2SC5948, 2SC5949, 2SC6011, 2SC6011A, 2SC6011A-O, 2SC6011A-P, 2SC6011A-Y, 2SD1148, 2SD2155, 2SD998, FJA4310, KTC5200, KTC5200A, KTC5242, KTC5242A, KTD718, KTD718B, MJW3281A, MJW3281AG o NTE2328.
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