Transistor bipolar KTD1691-O

Características del transistor KTD1691-O

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 20 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 160 a 320
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SD1691-L transistor

Diagrama de pines del KTD1691-O

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor KTD1691-O puede tener una ganancia de corriente de 160 a 320. La ganancia del KTD1691 estará en el rango de 160 a 400, para el KTD1691-Y estará en el rango de 200 a 400.

Versión SMD del transistor KTD1691-O

El BDP949 (SOT-223) es la versión SMD del transistor KTD1691-O.

Sustitución y equivalentes para el transistor KTD1691-O

Puede sustituir el KTD1691-O por el 2SD1691, 2SD1691-L, KSD1691 o KSD1691-Y.
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