Transistor bipolar KTD1691-O
Características del transistor KTD1691-O
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 5 A
- Disipación de Potencia Máxima: 20 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 160 a 320
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: TO-126
- Electrically Similar to the Popular 2SD1691-L transistor
Diagrama de pines del KTD1691-O
Clasificación de hFE
Versión SMD del transistor KTD1691-O
Sustitución y equivalentes para el transistor KTD1691-O
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