Transistor bipolar KSH882-G

Características del transistor KSH882-G

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 30 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 40 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 3 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 10 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 200 a 400
  • Frecuencia máxima de trabajo: 90 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SD882GR transistor

Diagrama de pines del KSH882-G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor KSH882-G puede tener una ganancia de corriente de 200 a 400. La ganancia del KSH882 estará en el rango de 60 a 400, para el KSH882-O estará en el rango de 100 a 200, para el KSH882-R estará en el rango de 60 a 120, para el KSH882-Y estará en el rango de 160 a 320.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del KSH882-G es el KSH772-G.

Sustitución y equivalentes para el transistor KSH882-G

Puede sustituir el KSH882-G por el 2SC2270, 2SC3420, 2SC3420-GL, 2SC6101, 2SC6102, 2SD1348, 2SD1348-T, 2SD1683, 2SD1683-T, 2SD1722, 2SD1722-R, 2SD1723, 2SD1723-R, 2SD882, 2SD882E, 2SD882GR, BD131, BD185, BD187, BD189, BDX35, BDX36, KSD882, KSD882-G, KTD882, KTD882-GR, MJE222, MJE225 o MJE520.
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