Transistor bipolar KSD261C

Características del transistor KSD261C

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 20 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 40 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 0.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.5 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 120 a 400
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92

Diagrama de pines del KSD261C

El KSD261C se fabrica en una caja de plástico TO-92. Si se mira la parte plana con los cables apuntando hacia abajo, los tres cables que salen del transistor son, de izquierda a derecha, el emisor, el colector y la base. El sufijo "C" significa colector central en KSD261.
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor KSD261C puede tener una ganancia de corriente de 120 a 400. La ganancia del KSD261CG estará en el rango de 200 a 400, para el KSD261CY estará en el rango de 120 a 240.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del KSD261C es el KSA643C.

Sustitución y equivalentes para el transistor KSD261C

Puede sustituir el KSD261C por el 2N3394, 2N3706, 2SC1959, 2SC2001, 2SC3266, 2SD471, 2SD545, 2SD734, KSD1020, KSD1021, KSD471AC, KTC3266 o KTD1146.
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