Transistor bipolar KSD1691-G

Características del transistor KSD1691-G

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 20 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 200 a 400
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SD1691-K transistor

Diagrama de pines del KSD1691-G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor KSD1691-G puede tener una ganancia de corriente de 200 a 400. La ganancia del KSD1691 estará en el rango de 100 a 400, para el KSD1691-O estará en el rango de 100 a 200, para el KSD1691-Y estará en el rango de 160 a 320.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del KSD1691-G es el KSB1151-G.

Versión SMD del transistor KSD1691-G

El BDP949 (SOT-223) es la versión SMD del transistor KSD1691-G.

Sustitución y equivalentes para el transistor KSD1691-G

Puede sustituir el KSD1691-G por el 2SD1691, 2SD1691-K, KTD1691 o KTD1691-Y.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com