Transistor bipolar KSB810

• Tipo: PNP
• Tensión Máxima Colector-Emisor: -25 V
• Tensión Máxima Colector-Base: -30 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: -0.7 A
• Disipación de Potencia Máxima: 0.35 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 70 a 400
• Frecuencia máxima de trabajo: 160 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
• Encapsulado: TO-92S

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor KSB810 puede tener una ganancia de corriente de 70 a 400. La ganancia del KSB810-G estará en el rango de 200 a 400, para el KSB810-O estará en el rango de 70 a 140, para el KSB810-Y estará en el rango de 120 a 240.El transistor NPN complementario del KSB810 es el KSD1020.El 2SA1588 (SOT-323), KTA1505 (SOT-23) y KTA1505S (SOT-23) es la versión SMD del transistor KSB810.Puede sustituir el KSB810 por el 2N4954, 2SB598, KSB564AC o KSB811.