Transistor bipolar KSB772-G

Características del transistor KSB772-G

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -30 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -40 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -3 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 10 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 200 a 400
  • Frecuencia máxima de trabajo: 80 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular 2SB772GR transistor

Diagrama de pines del KSB772-G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor KSB772-G puede tener una ganancia de corriente de 200 a 400. La ganancia del KSB772 estará en el rango de 60 a 400, para el KSB772-O estará en el rango de 100 a 200, para el KSB772-R estará en el rango de 60 a 120, para el KSB772-Y estará en el rango de 160 a 320.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del KSB772-G es el KSD882-G.

Sustitución y equivalentes para el transistor KSB772-G

Puede sustituir el KSB772-G por el 2SA2196, 2SA2197, 2SB1143, 2SB1143-T, 2SB1165, 2SB1165-T, 2SB1166, 2SB1166-T, 2SB772, 2SB772E, 2SB772GR, 2SB986, 2SB986-T, BD132, BD186, BD188, BD190, KSH772, KSH772-G, KTB772, KTB772-GR, MJE232, MJE235 o MJE370.
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