Transistor bipolar HSB1109-B

• Tipo: PNP
• Tensión Máxima Colector-Emisor: -160 V
• Tensión Máxima Colector-Base: -160 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: -0.1 A
• Disipación de Potencia Máxima: 1.25 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 60 a 120
• Frecuencia máxima de trabajo: 140 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -50 to +150 °C
• Encapsulado: TO-126
• Electrically Similar to the Popular 2SB1109-B transistor

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor HSB1109-B puede tener una ganancia de corriente de 60 a 120. La ganancia del HSB1109 estará en el rango de 60 a 320, para el HSB1109-C estará en el rango de 100 a 200, para el HSB1109-D estará en el rango de 160 a 320.El transistor NPN complementario del HSB1109-B es el HSD1609-B.Puede sustituir el HSB1109-B por el 2SA1220A, 2SA1220A-R, 2SA1352, 2SA1352-D, 2SA1353, 2SA1353-D, 2SA1380, 2SA1380-D, 2SA1381, 2SA1381-D, 2SA1406, 2SA1406-D, 2SA1407, 2SA1407-D, 2SA1478, 2SA1478-D, 2SA1479, 2SA1479-D, 2SA1480, 2SA1480-D, 2SA1540, 2SA1540-D, 2SA1541, 2SA1541-D, 2SB1109, 2SB1109-B, 2SB1110, 2SB1110-B, 2SB649A, 2SB649A-B, KSA1220A, KSA1220A-R, KSA1381, KSA1381-D, KSE350, MJE350 o MJE350G.