Transistor bipolar BDW51B

• Tipo: NPN
• Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
• Tensión Máxima Colector-Base: 80 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: 15 A
• Disipación de Potencia Máxima: 125 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 750 a 150
• Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
• Encapsulado: TO-3

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor PNP complementario del BDW51B es el BDW52B.Puede sustituir el BDW51B por el 2N6283, 2N6283G, 2N6284, 2N6284G, 2N6472, 2SC1584, 2SC1585, 2SC2431, 2SC2433, 2SD797, BD315, BD317, BDW51C, KD503, MJ11018, MJ15001, MJ15001G, MJ15003 o MJ15003G.