Transistor bipolar BDT32

Características del transistor BDT32

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -40 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -3 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 40 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 10 a 50
  • Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del BDT32

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BDT32 es el BDT31.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDT32

Puede sustituir el BDT32 por el BDT32A, BDT32B, D44C10, D44C4, D44C7, D45C10, D45C4, D45C7, TIP32, TIP32A, TIP32AG, TIP32B, TIP32BG o TIP32G.
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