Transistor bipolar BD877
Características del transistor BD877
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 80 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 1 A
- Disipación de Potencia Máxima: 9 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 2000
- Frecuencia máxima de trabajo: 200 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: TO-126
Diagrama de pines del BD877
Transistor PNP complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor BD877
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