Transistor bipolar BD877

Características del transistor BD877

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 9 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 2000
  • Frecuencia máxima de trabajo: 200 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del BD877

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BD877 es el BD878.

Sustitución y equivalentes para el transistor BD877

Puede sustituir el BD877 por el 2SD1509, 2SD1692, 2SD1692-K, 2SD1692-L, 2SD1692-M, 2SD985, 2SD985-K, 2SD985-L, 2SD985-M, 2SD986, 2SD986-K, 2SD986-L, 2SD986-M, BD879, KSB985, KSB985-O, KSB985-R, KSB985-Y, KSB986, KSB986-O, KSB986-R, KSB986-Y, KSD1692, KSD1692-G, KSD1692-O o KSD1692-Y.
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