Transistor bipolar BD530

Características del transistor BD530

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -4 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -2 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 8 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 30
  • Frecuencia máxima de trabajo: 100 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-202

Diagrama de pines del BD530

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BD530 es el BD529.
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