Transistor bipolar BD530
Características del transistor BD530
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -4 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -2 A
- Disipación de Potencia Máxima: 8 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 30
- Frecuencia máxima de trabajo: 100 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: TO-202
Diagrama de pines del BD530
Transistor NPN complementario
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