Transistor bipolar BD433G

Características del transistor BD433G

Tipo: NPN
Tensión Máxima Colector-Emisor: 22 V
Tensión Máxima Colector-Base: 22 V
Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
Corriente DC Máxima del Colector: 4 A
Disipación de Potencia Máxima: 36 W
Ganancia de corriente continua (h_fe): 40 a 130
Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del BD433G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Sustitución y equivalentes para el transistor BD433G

Puede sustituir el BD433G por el 2N4921, 2N4921G, BD185, BD433, BD435, BD435G, MJE220, MJE221 o MJE222.

Equivalent

Same transistor is also available in:

TO-126 package, BD433: 36 watts
TO-126 package, BD436: 36 watts
TO-126 package, BD436G: 36 watts
TO-126 package, BD439: 36 watts
TO-126 package, BD442: 36 watts

Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com