Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
Encapsulado: TO-220
Diagrama de pines del 2SD855
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.
Clasificación de hFE
El transistor 2SD855 puede tener una ganancia de corriente de 40 a 250. La ganancia del 2SD855-Q estará en el rango de 70 a 150, para el 2SD855-R estará en el rango de 40 a 90.
Marcado
A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD855 puede estar marcado sólo como "D855".
Transistor PNP complementario
El transistor PNP complementario del 2SD855 es el 2SB760.
Versión SMD del transistor 2SD855
El BCP55 (SOT-223) es la versión SMD del transistor 2SD855.
Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD855