Transistor bipolar 2SD855

Características del transistor 2SD855

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 30 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 250
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del 2SD855

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD855 puede tener una ganancia de corriente de 40 a 250. La ganancia del 2SD855-Q estará en el rango de 70 a 150, para el 2SD855-R estará en el rango de 40 a 90.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD855 puede estar marcado sólo como "D855".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD855 es el 2SB760.

Versión SMD del transistor 2SD855

El BCP55 (SOT-223) es la versión SMD del transistor 2SD855.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD855

Puede sustituir el 2SD855 por el 2SC1826, 2SC1985, 2SC1986, 2SC2075, 2SC3179, 2SC3851, 2SC3851A, 2SD1267, 2SD1267A, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD313, 2SD613, 2SD823, 2SD856, 2SD856A, 2SD857, 2SD857A, BD203, BD239A, BD239B, BD239C, BD241A, BD241B, BD241C, BD243A, BD243B, BD243C, BD303, BD535, BD537, BD539A, BD539B, BD539C, BD539D, BD797, BD799, BD801, BD807, BD809, BD935, BD935F, BD937, BD937F, BD939, BD939F, BD941, BD941F, BD949, BD951, BD953, BD955, BDT29A, BDT29B, BDT29C, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDX77, MJE15028, MJE15028G, TIP41D o TIP42D.
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