Transistor bipolar 2SD2389-P
Características del transistor 2SD2389-P
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 150 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 160 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 8 A
- Disipación de Potencia Máxima: 80 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 6500 a 20000
- Frecuencia máxima de trabajo: 80 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: TO-3P
Diagrama de pines del 2SD2389-P
Clasificación de hFE
Equivalent circuit
Marcado
Transistor PNP complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD2389-P
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com