Transistor bipolar 2SD1906-R

Características del transistor 2SD1906-R

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 90 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 30 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 200
  • Frecuencia máxima de trabajo: 20 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-262

Diagrama de pines del 2SD1906-R

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD1906-R puede tener una ganancia de corriente de 100 a 200. La ganancia del 2SD1906 estará en el rango de 70 a 280, para el 2SD1906-Q estará en el rango de 70 a 140, para el 2SD1906-S estará en el rango de 140 a 280.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD1906-R puede estar marcado sólo como "D1906-R".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD1906-R es el 2SB1270-R.

Versión SMD del transistor 2SD1906-R

El BDP951 (SOT-223) es la versión SMD del transistor 2SD1906-R.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD1906-R

Puede sustituir el 2SD1906-R por el 2SD1907 o 2SD1907-R.
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