Transistor bipolar 2SD1712-Q

Características del transistor 2SD1712-Q

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 60 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 60 a 120
  • Frecuencia máxima de trabajo: 20 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3PF

Diagrama de pines del 2SD1712-Q

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD1712-Q puede tener una ganancia de corriente de 60 a 120. La ganancia del 2SD1712 estará en el rango de 60 a 200, para el 2SD1712-P estará en el rango de 100 a 200, para el 2SD1712-S estará en el rango de 80 a 160.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD1712-Q puede estar marcado sólo como "D1712-Q".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD1712-Q es el 2SB1157-Q.

Versión SMD del transistor 2SD1712-Q

El BDP953 (SOT-223) es la versión SMD del transistor 2SD1712-Q.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD1712-Q

Puede sustituir el 2SD1712-Q por el 2SC2681, 2SC2681-R, 2SC4388, 2SC4886, 2SC5100, 2SC5101, 2SD1485, 2SD1485-Q, 2SD1486, 2SD1486-Q, 2SD1487, 2SD1487-Q, 2SD1488, 2SD1488-Q, 2SD1713, 2SD1713-Q, 2SD1714, 2SD1714-Q, 2SD1715, 2SD1715-Q, 2SD1716, 2SD1716-Q o FJAF4310.
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