Transistor bipolar 2SD1706-Q

Características del transistor 2SD1706-Q

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 130 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 15 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 80 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 90 a 180
  • Frecuencia máxima de trabajo: 20 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3PF

Diagrama de pines del 2SD1706-Q

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD1706-Q puede tener una ganancia de corriente de 90 a 180. La ganancia del 2SD1706 estará en el rango de 60 a 260, para el 2SD1706-P estará en el rango de 130 a 260, para el 2SD1706-R estará en el rango de 60 a 120.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD1706-Q puede estar marcado sólo como "D1706-Q".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD1706-Q es el 2SB1155-Q.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD1706-Q

Puede sustituir el 2SD1706-Q por el 2SD1707 o 2SD1707-Q.
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