Transistor bipolar 2SD1444A-P

Características del transistor 2SD1444A-P

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 40 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 50 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 7 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 30 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 130 a 260
  • Frecuencia máxima de trabajo: 150 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220F

Diagrama de pines del 2SD1444A-P

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD1444A-P puede tener una ganancia de corriente de 130 a 260. La ganancia del 2SD1444A estará en el rango de 60 a 260, para el 2SD1444A-Q estará en el rango de 90 a 180, para el 2SD1444A-R estará en el rango de 60 a 120.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD1444A-P puede estar marcado sólo como "D1444A-P".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD1444A-P es el 2SB953A-P.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD1444A-P

Puede sustituir el 2SD1444A-P por el 2SC3254, 2SC3255, 2SC3747, 2SC3748, 2SC4550, 2SC4551, 2SC4552, 2SD1061, 2SD1062, 2SD1271, 2SD1271-P, 2SD1445A, 2SD1445A-P, 2SD1668, 2SD1669, 2SD866, 2SD866-P, BD201, BD203, BD301, BD303, BD533, BD535, BD537, BD543, BD543A, BD543B, BD545, BD545A, BD545B, BD795, BD797, BD799, BD807, BD809, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDX77, D44H11, D44H11FP o D44H8.
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