Transistor bipolar 2SD1289

Características del transistor 2SD1289

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 120 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 120 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 8 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 80 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 60 a 320
  • Frecuencia máxima de trabajo: 60 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3P

Diagrama de pines del 2SD1289

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD1289 puede tener una ganancia de corriente de 60 a 320. La ganancia del 2SD1289-P estará en el rango de 160 a 320, para el 2SD1289-Q estará en el rango de 100 a 200, para el 2SD1289-R estará en el rango de 60 a 120.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD1289 puede estar marcado sólo como "D1289".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD1289 es el 2SB966.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD1289

Puede sustituir el 2SD1289 por el 2SC2579, 2SC2580, 2SC2581, 2SC4278 o 2SC4652.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com