Transistor bipolar 2SD1256-P

Características del transistor 2SD1256-P

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 130 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 40 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 130 a 260
  • Frecuencia máxima de trabajo: 30 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-252

Diagrama de pines del 2SD1256-P

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD1256-P puede tener una ganancia de corriente de 130 a 260. La ganancia del 2SD1256 estará en el rango de 60 a 260, para el 2SD1256-Q estará en el rango de 90 a 180, para el 2SD1256-R estará en el rango de 60 a 120.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD1256-P puede estar marcado sólo como "D1256-P".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD1256-P es el 2SB933-P.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD1256-P

Puede sustituir el 2SD1256-P por el 2SD1257, 2SD1257-P, 2SD1257A o 2SD1257A-P.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com