Transistor bipolar 2SD1250-P
Características del transistor 2SD1250-P
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -150 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -200 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -2 A
- Disipación de Potencia Máxima: 30 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 240
- Frecuencia máxima de trabajo: 20 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: TO-252
Diagrama de pines del 2SD1250-P
Clasificación de hFE
Marcado
Transistor NPN complementario
Versión SMD del transistor 2SD1250-P
Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD1250-P
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com