Transistor bipolar 2SD1250-P

Características del transistor 2SD1250-P

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -150 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -200 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -2 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 30 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 240
  • Frecuencia máxima de trabajo: 20 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-252

Diagrama de pines del 2SD1250-P

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD1250-P puede tener una ganancia de corriente de 100 a 240. La ganancia del 2SD1250 estará en el rango de 60 a 240, para el 2SD1250-Q estará en el rango de 60 a 140.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD1250-P puede estar marcado sólo como "D1250-P".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SD1250-P es el 2SB928-P.

Versión SMD del transistor 2SD1250-P

El PBHV9115T (SOT-23), PBHV9115X (SOT-89), PBHV9115Z (SOT-223) y PBHV9215Z (SOT-223) es la versión SMD del transistor 2SD1250-P.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD1250-P

Puede sustituir el 2SD1250-P por el 2SB928, 2SB928-P, 2SB928A, 2SB928A-P, 2SD1250A o 2SD1250A-P.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com